“這是你們?cè)O(shè)計(jì)的方案?”
王中軍將手里的文件翻的嘩嘩作響,邊看邊忍不住皺起了眉頭來。
“用腐蝕劑的各向同性來制作探針,你們考慮過這里面的工作量嗎?”
“使用可控制侵蝕速度的硝酸和氫氟酸,我們計(jì)算過可能的配比,至少要做上千組實(shí)驗(yàn)。”
鐘大華的聲音沒有多少波動(dòng),昨晚吳牧提出這個(gè)思路之后,他們倆就已經(jīng)通過代理公司搜集了相關(guān)的信息,但情況卻有些出人意料。
在美國的數(shù)據(jù)庫里,并沒有與這個(gè)思路相關(guān)的技術(shù)。
事實(shí)上從八十年代起,濕法蝕刻在美國就已經(jīng)屬于落后技術(shù)了。隨著制程技術(shù)的提高,現(xiàn)在業(yè)界主流已經(jīng)是干法蝕刻更勝一籌,因?yàn)楦煞ㄎg刻的各向異性更好,芯片的成品率自然更高。
也就是說在濕法蝕刻這個(gè)路線上,業(yè)界并沒有走到盡頭就更換了路線。
美國人技術(shù)比較先進(jìn),八十年代之后制程技術(shù)發(fā)展到微米級(jí),為了克服濕法蝕刻的缺點(diǎn),應(yīng)用材料公司直接推出了干法蝕刻的pvd技術(shù),干脆另開爐灶了!干法蝕刻是用等離子體直接撞擊晶圓,從化學(xué)反應(yīng)變成了物理反應(yīng),干脆沒有各向同性的問題了。
當(dāng)然,后來干法蝕刻的物理性蝕刻也不能滿足需求,于是業(yè)界又把濕法蝕刻撿回來了。但那也是利用離子蝕刻機(jī)將化學(xué)腐蝕劑離子化之后,在pecvd基礎(chǔ)上搞的濕法蝕刻。
各向異性的問題,早在八十年代美國人就解決了。
如今鐘大華和吳牧想要走回頭路,其實(shí)是挑了一條充滿荊棘的小路在走。
想要參考、借鑒,可根本就沒有先例可循。這樣一來,難免讓人有些心理打鼓了。
不過鐘大華臉上根本看不出懷疑和忐忑,面對(duì)上千組實(shí)驗(yàn)需要的工作量,仿佛就像在說下班去哪里買菜一樣。
“上千組實(shí)驗(yàn)?我看可不夠!”
王中軍搖了搖頭,哼了一聲:“這是你們計(jì)算配比和時(shí)間控制需要的實(shí)驗(yàn)數(shù)量,但是你想過沒有,我們要的不是一根普通的針尖,而是一根50納米寬的針尖!除了時(shí)間、配比以外,甚至一丁點(diǎn)微弱的空氣流動(dòng),都能讓你的實(shí)驗(yàn)結(jié)果出現(xiàn)偏差。除此之外,溫度、濕度、空氣雜質(zhì),這些還是能想到的干擾,真正做實(shí)驗(yàn)的時(shí)候,你會(huì)發(fā)現(xiàn)更多想都沒想過的干擾源會(huì)出現(xiàn)……這些都必須一一排除,一千組實(shí)驗(yàn)?zāi)隳鼙WC出結(jié)果嗎?”
“我保證……不了?!?br/>
鐘大華的聲音仍然沒有起伏,冷靜的說道:“但硅探針本來就沒有先例,甚至是原子力顯微鏡探針,我們自己都還不能生產(chǎn)??蛇@個(gè)項(xiàng)目只給了我們兩個(gè)月時(shí)間,根本沒有按部就班實(shí)現(xiàn)的可能?!?br/>
“說實(shí)話,我認(rèn)為吳牧這個(gè)思路簡(jiǎn)直是為我們量身定做。濕法蝕刻做探針雖然沒有成熟技術(shù)可以借鑒,但各種腐蝕劑的性能數(shù)據(jù)還是很豐富的。這個(gè)思路最大的優(yōu)勢(shì),就是不需要過往的基礎(chǔ),非常適合技術(shù)跳躍式發(fā)展。不管是亞微米還是微納米,50納米甚至是10納米,甚至有一天1納米的探針,只需要加大投入就一定能摸索出實(shí)現(xiàn)的參數(shù)。”噺⒏⑴祌文全文最快んττρs:/м.χ八㈠zщ.còм/
“我承認(rèn)我們有賭的成分?!?br/>
“這個(gè)路線成功了,我們可以拋開當(dāng)前的技術(shù)路線,走一條完全不同的納米光柵制造體系?!?br/>
“它確實(shí)沒有人實(shí)現(xiàn)過,但我們講科學(xué),它從理論上有成功的可能?!?br/>
“而且這種可能,也只有我們新科能夠?qū)崿F(xiàn)。”
“哦,這怎么說?”王中軍其實(shí)對(duì)這個(gè)思路還是滿意的,確實(shí)很難,但有實(shí)現(xiàn)的可能。
但要說只有新科能實(shí)現(xiàn),這又憑什么啊?憑胡文海長(zhǎng)得帥嗎?
“這方面我是有依據(jù)的。”
鐘大華說的信誓旦旦,王中軍明顯興趣更大了。
“在搜索相關(guān)文獻(xiàn)的時(shí)候,我們發(fā)現(xiàn)了一個(gè)情況。實(shí)際上和美國數(shù)據(jù)庫比起來,方案中需要的數(shù)據(jù)反而更多來自研究院的數(shù)據(jù)中心?!?br/>
“各種腐蝕液配比的研究資料,近十年來反而是我們自己的研究院數(shù)據(jù)庫更多?!?br/>
“其實(shí)這并不難理解,因?yàn)槲覀冎?,現(xiàn)在集成電路的制程已經(jīng)進(jìn)入了亞微米級(jí),濕法蝕刻早就已經(jīng)不適應(yīng)需求了。但在功率半導(dǎo)體上,制程卻并不是越小越好。事實(shí)上igct的制程基本都在3微米以上,igbt的制程也是在1到3微米之間?!?br/>
“在業(yè)界普遍升級(jí)干法蝕刻之后,新科作為功率半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)商,實(shí)際上仍然在大量的采用濕法蝕刻,并且持續(xù)多年在濕法蝕刻技術(shù)上投資改進(jìn)升級(jí)?!?br/>
“由此積累下來的生產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)資料,早就已經(jīng)超出了國際先進(jìn)水平?!?br/>